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剛用3nm芯片“背刺”臺(tái)積電的三星,實(shí)際還差得遠(yuǎn)? 鳳凰網(wǎng)     2022-07-11 23:35    

北京時(shí)間7月11日消息,三星6月30日宣布,已開始量產(chǎn)最先進(jìn)的電路線寬為3納米的半導(dǎo)體。臺(tái)積電預(yù)定2022年內(nèi)開始量產(chǎn)3納米半導(dǎo)體,乍看上去,三星似乎在最尖端產(chǎn)品的競爭上領(lǐng)先一步,然而事實(shí)并非如此。

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