一、功能概述

1.低內(nèi)阻電流和工作電流。

2.內(nèi)置前沿消隱(LEB)。

3.內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償和同步斜坡補(bǔ)償。

4.內(nèi)置抖頻功能可以降低EMI。

5.逐周期限制電流。

6.空載或輕載時(shí)降頻和跳周期工作模式。

7. 過(guò)載保護(hù)（過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)）、欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)等。

二、特性描述

HBS1565 芯片是一款高集成度、高性能的PWM＋ MOSFET 二合一的電流型離線式開(kāi)關(guān)電源控制器。適用于充電器、電源適配器等各類(lèi)對(duì)應(yīng)功率的開(kāi)關(guān)電源。采用DIP8封裝，無(wú)需加散熱器可輸出0～35W的功率。電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能可靠穩(wěn)定。具有完善的保護(hù)功能，如：過(guò)載（過(guò)壓、過(guò)流），欠壓，開(kāi)環(huán)，過(guò)溫，及輸出短路保護(hù)等。固定振蕩頻率及抖頻功能，容易降低EMI。待機(jī)功率低，在待機(jī)時(shí)進(jìn)入跳頻周期模式，符合“能源之星”等待機(jī)功耗國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)要求。

典型應(yīng)用原理圖：輸入電壓：90~264VAC；輸出：12V1.5A；空載損耗：80%(滿載)。

一、功能概述

1.低內(nèi)阻電流和工作電流。

2.內(nèi)置前沿消隱(LEB)。

3.內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償和同步斜坡補(bǔ)償。

4.內(nèi)置抖頻功能可以降低EMI。

5.逐周期限制電流。

6.空載或輕載時(shí)降頻和跳周期工作模式。

7. 過(guò)載保護(hù)（過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)）、欠壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)等。

二、特性描述

HBS0X65 芯片是一款高集成度、高性能的PWM＋ MOSFET 二合一的電流型離線式開(kāi)關(guān)電源控制器。適用于充電器、電源適配器等各類(lèi)對(duì)應(yīng)功率的開(kāi)關(guān)電源。采用DIP8封裝，無(wú)需加散熱器可輸出0～35W的功率。電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能可靠穩(wěn)定。具有完善的保護(hù)功能，如：過(guò)載（過(guò)壓、過(guò)流），欠壓，開(kāi)環(huán)，過(guò)溫，及輸出短路保護(hù)等。固定振蕩頻率及抖頻功能，容易降低EMI。待機(jī)功率低，在待機(jī)時(shí)進(jìn)入跳頻周期模式，符合“能源之星”等待機(jī)功耗國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)要求。

典型應(yīng)用原理圖：輸入電壓：90~264VAC；輸出：12V1.5A；空載損耗：80%(滿載)。