熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成三維空間長(zhǎng)程有序的形式成為單晶硅。 單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。

生長(zhǎng)方法:CZ / FZ method

導(dǎo)電類型:P-type, N-type, Intrinsic

摻雜:Boron, Phosphorous, Antimony, ArsenicorNone

晶向:<100>, <111>, <110> or others

電阻率:0.001 ~50 ohm-cm (標(biāo)準(zhǔn)),

1000 ~20000 ohm-cm(高阻)

表面拋光類型:One side polished (SSP), Double sidedpolished(DSP)

表面粗糙度:PolishRa≤0.5 nm

包裝:Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

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李先生（微信同號(hào)）