單晶硅太陽能的光電轉(zhuǎn)換效率的達(dá)到24%,這是所有種類的太陽能電池中光電轉(zhuǎn)換效率的。但是單晶硅太陽能電池的制作成本很大，以至于它還不能被大量廣泛和普遍地使用。多晶硅太陽能電池從制作成本上來講，比單晶硅太陽能電池要便宜一些，但是多晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，此外，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。因此，從性能價(jià)格比來講，單晶硅太陽能電池還略好。

研究者發(fā)現(xiàn)有一些化合物半導(dǎo)體材料適于作太陽能光電轉(zhuǎn)化薄膜。例如CdS,CdTe；Ⅲ-V化合物半導(dǎo)體：GaAs,AIPInP等；用這些半導(dǎo)體制作的薄膜太陽能電池表現(xiàn)出很好光電轉(zhuǎn)化效率。具有梯度能帶間隙多元的半導(dǎo)體材料，可以擴(kuò)大太陽能吸收光譜范圍，進(jìn)而提高光電轉(zhuǎn)化效率。使薄膜太陽能電池大量實(shí)際的應(yīng)用呈現(xiàn)廣闊的前景。在這些多元的半導(dǎo)體材料中Cu(In,Ga)Se2是一種性能優(yōu)良太陽光吸收材料。以它為基礎(chǔ)可以設(shè)計(jì)出光電轉(zhuǎn)換效率比硅明顯地高的薄膜太陽能電池,可以達(dá)到的光電轉(zhuǎn)化率為18%。

晶硅組件：單塊組件功率相對(duì)較高。同樣占地面積下，裝機(jī)容量要比薄膜組件高。但組件厚重易碎，高溫性能較差，弱光性差，年度衰減率高。

薄膜組件：單塊組件功率相對(duì)略低。但發(fā)電性能高，高溫性能佳，弱光性能好，陰影遮擋功率損失較小，年度衰減率低。應(yīng)用環(huán)境廣泛，美觀，環(huán)保。

可供制造太陽電池的半導(dǎo)體材料很多，隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽電池的品種將越來越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽電池，除硅系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽電池，舉不勝舉，通常這些材料都會(huì)用來制作非晶硅電池。