單晶硅太陽能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。太陽能組件的導電部分是由納米級二氧化鈦顆粒和幫助導電的電解質，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽能電池相比，這種新型太陽能組件可以吸收直射陽光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴大，對城市的美化起到了不可磨滅的作用。

多晶硅回收 太陽能級多晶硅一級料：能夠直接用作生產(chǎn)太陽能光伏多晶硅錠、單晶硅棒的高純度多晶硅塊。上述產(chǎn)品型號的定義以中國國家標準GB/T 25074為準。

太陽能級多晶硅二級料：在用于生產(chǎn)太陽能光伏多晶硅錠、單晶硅棒時需要與高純度的多晶硅混合使用。上述產(chǎn)品型號的定義以中國國家標準GB/T 25074為準。

受太陽能需求急劇增長的影響，生產(chǎn)硅片的原材料多晶硅價格幾年之間上漲了3倍，而預計今后幾年多晶硅的供應缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價格有望繼續(xù)上漲。

好組件回收將有可能引發(fā)我國硅片生產(chǎn)行業(yè)新一輪洗牌，尋找國際技術合作伙伴將是途徑之一。

好組件回收為了進一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會下降。

碎硅片回收切割常見問題

1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。