拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等作用。拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

拋光粉通常由氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鐵、氧化鋯、氧化鉻等組份組成。不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質也不同，因此使用場合各不相同。通常，氧化鈰拋光粉用于玻璃和含硅材料的拋光，氧化鋁拋光粉用于不銹鋼的拋光，氧化鐵也可用于玻璃，但速度較慢，常用于軟性材料的拋光。石材的拋光常使用氧化錫，瓷磚的拋光常使用氧化鉻。

多晶金剛石拋光液

多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產(chǎn)生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

拋光粉通常由氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鐵、氧化鋯、氧化鉻等組份組成。不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質也不同，因此使用場合各不相同。通常，氧化鈰拋光粉用于玻璃和含硅材料的拋光，氧化鋁拋光粉用于不銹鋼的拋光，氧化鐵也可用于玻璃，但速度較慢，常用于軟性材料的拋光。石材的拋光常使用氧化錫，瓷磚的拋光常使用氧化鉻。

化學機械拋光：

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠實現(xiàn)全局平面化的有效方法。