依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等作用。拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

拋光粉通常由氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鐵、氧化鋯、氧化鉻等組份組成。不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質(zhì)也不同，因此使用場合各不相同。通常，氧化鈰拋光粉用于玻璃和含硅材料的拋光，氧化鋁拋光粉用于不銹鋼的拋光，氧化鐵也可用于玻璃，但速度較慢，常用于軟性材料的拋光。石材的拋光常使用氧化錫，瓷磚的拋光常使用氧化鉻。

使用方法：

1） 先將水磨石地面沙粒，灰塵，蠟質(zhì)及其他涂層清除干凈，水磨石地面需翻新到2000＃以上，然后沖洗地面，吸干或刮干水分，并充分干燥地面。

2） 再將晶面劑按每平方8-15克的用量噴灑于地面，每次處理面積以1-2平方米為佳，配合專業(yè)翻新晶面機及合適的重壓，采用鋼絲墊、紅墊或納米墊將之均勻涂開，打磨至通透晶亮效果。

3） 日常保養(yǎng)，建議用PH值在5-7范圍的中性清潔劑清洗，或使用清水清洗。