多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。

廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。

對光澤來說，芳香族，脂肪族差。此性質受固化溫度的影響，隨溫度升高，光澤變好。至于柔軟性，官能基間距離長的聚酰胺更優(yōu)良一些，而交聯密度高的芳香胺則差。耐熱性與柔軟性正好相反，而粘接性則與柔軟性一致。耐藥品性（耐酸性）受化學結構影響，芳香族比較優(yōu)良，脂肪胺和聚酰胺則易受化學藥品腐蝕。耐水性受官能基質量濃度的支配，官能基質量濃度低、疏水度高的聚酰胺類更耐水，而官能基質量濃度高的芳香族則差一些。

使用方法：

1） 先將水磨石地面沙粒，灰塵，蠟質及其他涂層清除干凈，水磨石地面需翻新到2000＃以上，然后沖洗地面，吸干或刮干水分，并充分干燥地面。

2） 再將晶面劑按每平方8-15克的用量噴灑于地面，每次處理面積以1-2平方米為佳，配合專業(yè)翻新晶面機及合適的重壓，采用鋼絲墊、紅墊或納米墊將之均勻涂開，打磨至通透晶亮效果。

3） 日常保養(yǎng)，建議用PH值在5-7范圍的中性清潔劑清洗，或使用清水清洗。