產(chǎn)品類型 硅材料 拋光液 藍(lán)寶石 拋光液 砷化鎵 拋光液 鈮酸鋰 拋光液 鍺拋光液 集成電路多次銅布線拋光液 集成電路阻擋層拋光液

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。