氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。

研磨液的添加量是根據(jù)水質和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質硬切削量多，則研磨液的添加量應多些。由于離心式研磨機在相同的時間內切屑量多，所以研磨液的添加量應多些。研磨液少量滴入滾筒內被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等優(yōu)點。

地坪拋光液的施工方法： 利用拖把、刮刀、軟毛刷或滾筒等涂刷均勻，待地面將光亮劑吸收（約20分鐘）后，再用軟性物擦拭表面或者用拋光機拋光（采用白色羊毛纖維墊），直至光亮度表現(xiàn)出來為止。拋光完成后，即可上人，氣溫較低時，間隔時間需要適度延長。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。 拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。