單多晶硅片回收后在電池制絨的進(jìn)程中的工藝會使得硅片表面構(gòu)成類似金字塔的結(jié)構(gòu)從而十分有利于光線的吸收，所以單晶金剛切硅片完全不影響單晶電池的制絨的全進(jìn)程。單晶電池的堿法制絨工藝可以非常有效的降低硅片的反射率，所以無需疊加任何工藝直接進(jìn)入電池制絨環(huán)節(jié)。

而關(guān)于多晶硅片，酸制絨工藝并不有利于降低硅片反射度，所以關(guān)于金剛線切割消費(fèi)的多晶硅片需求額外疊加“黑硅或許添加劑”技術(shù)。添加劑技術(shù)無需添加新的設(shè)備，只需添加一道工藝，今年金剛線切割多晶硅片之所以能失掉大范圍的普及主要有賴于添加劑技術(shù)的成熟運(yùn)用，但在轉(zhuǎn)換效率上略有下降。根據(jù)弘寧新動(dòng)力技術(shù)人員引見，經(jīng)過不時(shí)優(yōu)化以后，可保證運(yùn)用添加劑的單多晶硅片回收轉(zhuǎn)換效率不降低，72片標(biāo)準(zhǔn)組件的功率可以做到300W。

單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價(jià)值也就越高。

(2)多晶硅太陽電池板

在制造多晶硅太陽能電池板時(shí)，作為原材料的高純硅不是被拉成單一產(chǎn)品，而是后來被澆鑄成正方龍日晶硅錠的不同取向，然后用切割機(jī)切割成薄片，再加工成電池。因?yàn)楣杵怯蓭讉€(gè)不同大小和取向的晶粒組成的。

因此，多晶硅太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率低于單晶硅太陽能電池板。大規(guī)模生產(chǎn)的商用多晶硅太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率高達(dá)16%-19%。

由于其制造成本低，近年來發(fā)展迅速，已成為太陽能電池的產(chǎn)量和市場份額。