參數(shù)

單位

HC-OSW-MOS-N*M

常溫指標

全溫度范圍指標

工作波長

nm

1550

1550

插入損耗(IL)

dB

≤1.0（典型值：0.8）

≤1.3

溫度相關損耗(TDL)

dB

≤0.2

0.5

回波損耗(RL)

dB

≥50

40

串擾(CT)

dB

≥40

35

重復性

dB

≤±0.01

≤±0.02

切換速度

μs

≤400

≤400

切換次數(shù)

times

≥10 Billion

≥10 Billion

工作電壓

V

5

5

承受光功率

mw

≤500

≤500

工作溫度

℃

-20~+70

-40--85

儲存溫度

℃

-40~+85

-40~+85

工作濕度

℃

5~95

5~95

封裝尺寸

mm

L37xW10xH7.8

備注:1.指標分為常溫指標和全溫度范圍內指標控制范圍

2.所有參數(shù)均不包括連接頭插入損耗，一對連接頭增加0.3dB損耗。