單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

它的工序，主要有：

切片：就是將硅棒切成薄硅片，具有一定的幾何尺寸。

退火：讓硅片表面發(fā)生氧化反應，通過氧化爐，使其表面形成二氧化硅保護層。

倒角：硅片進行修整，修整成圓弧形，避免產(chǎn)生缺陷，增加其平坦度。

商業(yè)化太陽能電池就是清潔能源的一種，采用的是的晶硅，其中的單晶和多晶硅電池的特點就是光電轉換的效率比較高，使用的壽命較長，穩(wěn)定性比較好，當然成本也是較高的。

伴隨著半導體制造技術的不斷提升與完善，雖然硅片制造成本在不斷降低，但是作為中心材質的太陽能電池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太陽能總制造成本的30%。