密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對(duì)性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類(lèi)情況，通過(guò)改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問(wèn)題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過(guò)高。改善鑄錠工藝解決此問(wèn)題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問(wèn)題。

隨著我們生產(chǎn)能的增加，我們對(duì)硅片回收價(jià)格也有著自己的理解和看法。如果說(shuō)價(jià)格比較低的話(huà)那自然對(duì)我們的回收質(zhì)量就不能很好的保證了。但是我們?cè)谏a(chǎn)的時(shí)候也注意避免浪費(fèi)的情況出現(xiàn)。有時(shí)候我們還需要對(duì)硅片進(jìn)行浸泡，這樣它的使用效果可能會(huì)比較好。另外如果說(shuō)我們的作業(yè)哪里出現(xiàn)了什么問(wèn)題也應(yīng)該要及時(shí)的進(jìn)行處理和維護(hù)這是不能少的，但是總體的大概結(jié)構(gòu)是不會(huì)發(fā)生改變。

非晶硅太陽(yáng)能電池 非晶硅太陽(yáng)電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)電池，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池的制作方法完全不同，工藝過(guò)程大大簡(jiǎn)化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。

太陽(yáng)能電池用單晶硅片，一般有兩種形狀，一種是圓形，另一種是方形。以圓形硅片為例，其加工工藝流程為：?jiǎn)尉t取出單晶-檢查重量、量直徑和其他表觀特征-切割分段-測(cè)試-清洗-外圓研磨-檢測(cè)分檔-切片-倒角-清洗-磨片-清洗-檢驗(yàn)-測(cè)厚分類(lèi)-化學(xué)腐蝕-測(cè)厚檢驗(yàn)-拋光-清洗-再拋光-清洗-電性能測(cè)-檢驗(yàn)-包裝-儲(chǔ)存。