在光伏領(lǐng)域，線鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過(guò)程中的材料損耗，從而減少了太陽(yáng)能電力的硅材料消耗量。（因此，線鋸技術(shù)對(duì)于降低太陽(yáng)能每瓦成本并終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。的線鋸技術(shù)帶來(lái)了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過(guò)更薄的硅片減少了硅材料的消耗。

芯片又是現(xiàn)代化的微型“知識(shí)庫(kù)”，它具有神話般的存儲(chǔ)能力，在針尖大小的硅片上可以裝入一部24卷本的《大英百科全書(shū)》。如今世界上的圖書(shū)、雜志已多達(dá)3000多萬(wàn)種，而且每年都要增加50多萬(wàn)種，可謂浩如煙海。德國(guó)未來(lái)學(xué)家拜因豪爾指出：“今天的科學(xué)家，即使整日整夜地工作，也只能閱讀本專(zhuān)業(yè)全部出版物的5%?！背雎泛卧谀?？的辦法就是由各個(gè)圖書(shū)情報(bào)資料中心負(fù)責(zé)把各種情報(bào)存入硅片存儲(chǔ)器，并用通信線路將其連接成網(wǎng)。這樣，科技人員要查找某種資料和數(shù)據(jù)時(shí)，只要坐在辦公室里操作計(jì)算機(jī)鍵盤(pán)，立即就會(huì)在計(jì)算機(jī)的熒光屏上顯示出所要查詢的內(nèi)容。

晶體硅根據(jù)晶體取向不同又分為單晶硅和多晶硅。單晶硅和多晶硅的區(qū)別是；當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅；如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。

沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，其中電子和空穴的濃度是相等的。而為了控制半導(dǎo)體的性質(zhì)需要人為的在半導(dǎo)體中或多或少的摻入某種特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體，稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。當(dāng)雜質(zhì)為施主型雜質(zhì)（起施放電子作用）稱(chēng)為N型半導(dǎo)體，當(dāng)雜質(zhì)為受主型雜質(zhì)（接受電子而產(chǎn)生空穴）稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。