絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開關(guān)能力和高電壓容量，在各種應(yīng)用中得到越來越多的運(yùn)用。陶氏粘合劑有機(jī)硅解決方案可密封并保護(hù)先進(jìn)的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動器、太陽能逆變器、風(fēng)能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動力傳輸系統(tǒng)、電動汽車、鐵路和海運(yùn)等具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中驅(qū)動IGBT。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費類應(yīng)用（例如，空調(diào)和電磁爐），以及車載應(yīng)用（例如，電動汽車（EV）電機(jī)控制器）。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。