絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開(kāi)關(guān)能力和高電壓容量，在各種應(yīng)用中得到越來(lái)越多的運(yùn)用。陶氏粘合劑有機(jī)硅解決方案可密封并保護(hù)先進(jìn)的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動(dòng)力傳輸系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、鐵路和海運(yùn)等具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)IGBT。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子）、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問(wèn)題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長(zhǎng)。