IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

在有些應(yīng)用場(chǎng)景下，驅(qū)動(dòng)要提供豐富的保護(hù)功能。首先，驅(qū)動(dòng)器要長(zhǎng)出一雙“眼睛”（故障檢測(cè)），觀察“電燈”（負(fù)載）或者“開(kāi)關(guān)”（IGBT）運(yùn)行是否正常。如果負(fù)載有異常，故障檢測(cè)立刻發(fā)送信號(hào)給“大腦”MCU，MCU發(fā)指令給IGBT驅(qū)動(dòng)，IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)閉功率器件，避免炸機(jī)。我們把具有保護(hù)功能的IGBT驅(qū)動(dòng)IC稱(chēng)為增強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)。IGBT驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能包括欠壓關(guān)斷、短路保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、米勒鉗位、軟關(guān)斷等。

采用脈沖變壓器隔離驅(qū)動(dòng)IGBT，該方式是利用變壓器的工作原理，由次級(jí)感應(yīng)電壓直接驅(qū)動(dòng)IGBT，如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅(qū)動(dòng)方式不僅簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路，還解決了驅(qū)動(dòng)電路的供電與 IGBT不共地的連接問(wèn)題。

采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動(dòng)IGBT，該電路自身帶過(guò)流保護(hù)功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動(dòng)電路隔離，4011 的四個(gè)與非門(mén)并聯(lián)工作提高了驅(qū)動(dòng)能力，互補(bǔ)晶體管V1、V2 降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗，通過(guò)R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動(dòng)電壓，以滿(mǎn)足各種IGBT 對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時(shí)受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。