硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化快的。

多晶硅片,半導體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)， 有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。

有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬 金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉 等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。所以清洗多晶硅、半導體、太陽能光伏電池板必須用超純水，目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設備，二是反滲透+EDI超純水設備，這是兩種制取超純水設備常用的工藝。

處理工藝：

預處理系統(tǒng)-反滲透系統(tǒng)-中間水箱-粗混合床-精混合床-純水箱-純水泵-紫外線器-拋光混床-精密過濾器-用水對象(≥18MΩCM)(傳統(tǒng)工藝)

預處理-反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外線器-拋光混床-02或05Hm精密過濾器-用水對象(≥18MΩCM)(工藝)

預處理-一級反滲透-加藥機(PH調(diào)節(jié))-中間水箱-第二級反滲遺(正電荷反滲膜)-純水箱-純水泵-EDI裝置-紫外線殺南器-02或0.5m精密過濾器-用水對象(>17MΩCM)()

預處理-反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純水箱-純水泵-紫外線器-0.2或0.5精密過濾器-用水對象(≥15MΩCM)(工藝)

預處理系統(tǒng)-反滲透系統(tǒng)-中間水箱-純水泵-粗混合床-精混合床-紫外線殺藥器-精密過濾器-用水對象(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)