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SSD固態(tài)硬盤知識探討:
單層存儲與多層存儲的區(qū)別在于每個NAND存儲單元一次所能存儲的“位元數(shù)”。SLC(Single-Level Cell)單層式存儲每個存儲單元僅能儲存1bit數(shù)據(jù),同樣,MLC(Multi-Level Cell)可儲存2bit數(shù)據(jù),TLC(Trinary-Level)可儲存3bit數(shù)據(jù)。一個存儲單元上,一次存儲的位數(shù)越多,該單元擁有的容量就越大,這樣能節(jié)約閃存的成本,提高NAND的生產(chǎn)量。但隨之而來的是,向每個單元存儲單元中加入更多的數(shù)據(jù)會使得狀態(tài)難以辨別,并且可靠性、耐用性和性能都會降低。
固態(tài)硬盤容量換算:標注容量*0.93=實際可用容量