可測(cè)參數(shù)：Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試

可測(cè)器件：IGBT，二極管，氮化鎵、碳化硅MOSFET等

測(cè)試頻率：1MHz

測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V，Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV

Rg范圍：≤300Ω

測(cè)試精度：0.01pf

華科智源柵極電阻/柵極電容測(cè)試儀特點(diǎn)：

1，測(cè)試速度快。

2，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。

3，測(cè)試精度高，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定。

4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形，可直接生成規(guī)格書(shū)用的圖片或CSV描點(diǎn)文件。