12V升20V升24V4A升壓芯片WT3207

WT3207 是一款率的 PWM 升壓控制裝置 IC。以下是基于該芯片實(shí)現(xiàn) 12V 升 20V、24V 且輸出電流 4A 的應(yīng)用相關(guān)信息：

芯片特性：

寬輸入電壓范圍：5V 至 36V，適用于多種不同的輸入電壓場(chǎng)景，對(duì)于 12V 的輸入電壓完全適用。

率：效率可高達(dá) 95%，這意味著在能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中損耗較低，能夠有效減少發(fā)熱，提高能源利用率，對(duì)于需要較大輸出電流的應(yīng)用非常重要。

外置 MOS 驅(qū)動(dòng)：強(qiáng)大的輸出驅(qū)動(dòng)器允許 WT3207 驅(qū)動(dòng)大型外部 MOSFET，可滿足高功率輸出的需求，便于實(shí)現(xiàn) 4A 的輸出電流。

其他特性：具有 330kHz 的振蕩器頻率、PWM 電流模式控制、低電流關(guān)斷模式（1uA）、可編程欠壓鎖定、采用 SOP-8 封裝以及溫度保護(hù)等功能，這些特性使得芯片在各種工作條件下都能穩(wěn)定、可靠地運(yùn)行。

電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)：

輸入濾波電路：在 12V 輸入端口處連接適當(dāng)?shù)臑V波電容，如一個(gè) 100μF 的電解電容和一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。電解電容用于濾除低頻紋波，陶瓷電容用于濾除高頻噪聲，以減少輸入電壓的波動(dòng)，為芯片提供穩(wěn)定的電源。

升壓電路：根據(jù) WT3207 的數(shù)據(jù)手冊(cè)，選擇合適的電感值和電容值來(lái)配合芯片工作。電感是升壓電路的關(guān)鍵元件，其值的選擇要根據(jù)輸出電壓、輸出電流和開關(guān)頻率等因素來(lái)確定。對(duì)于 4A 的輸出電流，建議選擇電感值在 10μH 到 33μH 之間、額定電流大于 4A 的功率電感。電容則用于輸出濾波和平滑電壓，在輸出端可以使用一個(gè) 470μF 的電解電容和一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。

反饋電路：WT3207 具有反饋引腳（FB），通過(guò)連接一個(gè)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)到輸出端，將輸出電壓反饋到芯片內(nèi)部，以便芯片根據(jù)反饋電壓調(diào)整輸出。例如，如果要將輸出電壓穩(wěn)定在 20V 或 24V，需要根據(jù)芯片的反饋電壓要求和所選的電阻分壓比例來(lái)計(jì)算電阻值。

MOSFET 選擇：由于需要輸出 4A 的電流，所以要選擇合適的外置 MOSFET。MOSFET 的參數(shù)包括漏極電流、柵極閾值電壓、導(dǎo)通電阻等，要根據(jù)實(shí)際的工作電流和電壓來(lái)選擇，并且要確保其能夠承受電路中的功率損耗和熱應(yīng)力。

PCB 布局注意事項(xiàng)：

電源路徑：輸入和輸出的電源線路要盡量寬，以降低線路電阻和電壓降。同時(shí)，要避免輸入和輸出線路之間的交叉和干擾，防止因線路之間的耦合而產(chǎn)生噪聲或影響電路的穩(wěn)定性。

芯片散熱：WT3207 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的熱量，尤其是在輸出電流較大的情況下，熱量會(huì)更加明顯。因此，要在 PCB 上為芯片和 MOSFET 提供足夠的散熱空間，可以在芯片底部的焊盤上增加散熱過(guò)孔，將熱量傳導(dǎo)到 PCB 的底層，或者在芯片上安裝散熱片。

元件布局：元件的布局要緊湊合理，盡量縮短元件之間的連線長(zhǎng)度，以減少信號(hào)的傳輸延遲和損耗。特別是反饋電路的元件要靠近芯片的 FB 引腳，以減少信號(hào)干擾。