光學(xué)領(lǐng)域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會(huì)褪色的鏡，還可用于制造其他光學(xué)器件，如濾光片、光通信器件等。

其他領(lǐng)域：可用于制造低熔點(diǎn)合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導(dǎo)體等電氣組件。

化合物半導(dǎo)體器件

場(chǎng)景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

靶材回收與再利用

回收價(jià)值：報(bào)廢銦靶（含濺射過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑、廢膜）可通過(guò)化學(xué)溶解（如鹽酸溶解）、電解精煉等工藝回收銦金屬（回收率可達(dá) 95% 以上），降低生產(chǎn)成本。

環(huán)保要求：回收過(guò)程中產(chǎn)生的廢水需處理至重金屬排放標(biāo)準(zhǔn)（如銦離子濃度≤0.1 mg/L），避免環(huán)境污染。