氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時(shí)也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。

溶劑萃取法（化學(xué)法）

以濕法冶金為基礎(chǔ)，通過P204萃取劑選擇性富集銦：

含銦物料經(jīng)硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0條件下進(jìn)行三級(jí)逆流萃取，銦萃取率可達(dá)98%。

該工藝對(duì)低品位原料（含銦0.02%）適用性強(qiáng)，但存在試劑消耗大（硫酸用量2-3噸/噸銦）、廢水處理成本高的問題。

銦在ITO靶材、半導(dǎo)體、合金等領(lǐng)域的應(yīng)用表明其在電子和光伏產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵作用，推動(dòng)了銦回收的必要性。銦，這一關(guān)鍵元素在ITO廢料回收中扮演著至關(guān)重要的角色。通過回收這些廢料，可以顯著減少原礦開采成本，高達(dá)50%。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，對(duì)高純銦的需求也呈現(xiàn)出剛性增長，進(jìn)一步凸顯了銦回收的緊迫性和重要性。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。