1.CDE SCD106K102G1S25-1F（10μF 1000VDC）
(1)核心參數(shù)
額定電壓：1000VDC（可承受1.25倍額定電壓持續(xù)60秒的耐壓測(cè)試）；
容量：10μF（±10%標(biāo)準(zhǔn)公差，支持定制更嚴(yán)格公差）；
ESR（等效串聯(lián)電阻）：≤0.05Ω（@25℃, 100kHz）；
峰值紋波電流：18.2Arms（@50℃工況）。
(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
介質(zhì)材料：金屬化聚丙烯薄膜（MKP），具備自愈特性，可快速恢復(fù)局部擊穿區(qū)域；
封裝：圓柱形塑料外殼（環(huán)氧樹脂密封），符合UL 94 V-0阻燃等級(jí)；
引腳：鍍錫銅合金徑向引腳，支持通孔安裝，抗拉強(qiáng)度≥10N。
(3)應(yīng)用場(chǎng)景
高壓直流母線濾波（如光伏逆變器、軌道交通牽引系統(tǒng)）；
高頻脈沖電路（如醫(yī)療X射線發(fā)生器、激光電源）；
電力電子設(shè)備中的緩沖電路（需配合快恢復(fù)二極管使用）。
(4)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
絕緣電阻：≥3000MΩ（測(cè)試電壓1000VDC）；
壽命預(yù)期：>300,000小時(shí)（@40℃, 50%額定電壓工況）。
2. CDE UNL5W35K-F（500VDC 35μF）
(1)核心參數(shù)
額定電壓：500VDC（支持短時(shí)1.25倍過(guò)壓）；
容量：35μF（E12系列標(biāo)準(zhǔn)值，可定制±5%公差）；
dV/dt耐量：≥35V/μs（適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景）；
工作溫度：-40℃~+85℃（可承受短期+105℃高溫）。
(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
芯體設(shè)計(jì)：多層聚丙烯薄膜與鋁箔交替卷繞，優(yōu)化高頻損耗；
散熱結(jié)構(gòu)：直徑50mm×高度35mm緊湊設(shè)計(jì)，銅質(zhì)散熱片集成于殼體；
環(huán)保認(rèn)證：符合RoHS指令（無(wú)鉛焊接工藝）。
(3)應(yīng)用場(chǎng)景
高頻諧振電路（如感應(yīng)加熱設(shè)備、無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)）；
電力電子模塊的DC-Link電容（需并聯(lián)多顆實(shí)現(xiàn)低ESL）；
新能源車充電樁的功率因數(shù)校正（PFC）模塊。
(4)關(guān)鍵測(cè)試數(shù)據(jù)
紋波電流能力：
50℃時(shí)22.0Arms，75℃時(shí)13.0Arms（需配合強(qiáng)制風(fēng)冷）；
耐振動(dòng)性能：通過(guò)10~2000Hz掃頻振動(dòng)測(cè)試（IEC 60068-2-6標(biāo)準(zhǔn)）。
（5）建議選型參考
高壓場(chǎng)景優(yōu)先選SCD系列：其1000VDC耐壓和低損耗特性更適合光伏逆變器等高壓系統(tǒng)；
高頻應(yīng)用選UNL系列：優(yōu)化的dV/dt耐量支持IGBT/MOSFET快速開關(guān)需求；